增强型PMOS管Vgs之间并联电容的作用，电容大小对mos管有什么影响？

增强型PMOS管的栅源间并联电容(即栅氧化层电容)的作用和影响如下:

1. 作用:并联电容可以储存电荷,当PMOS管导通后,并联电容会迅速充电,为PMOS管提供电荷;当PMOS管断开后,并联电容放电,继续为PMOS管提供电荷,这可以减小PMOS管导通和截止时的电荷重配,改善PMOS管的开关性能。

2. 电容大小影响:

(1) 电容越大,储存的电荷越多,可以提供更多的电荷重配,有利于改善PMOS管的开关特性,减小开关损耗。但电容过大也会增加栅极延迟,影响PMOS管的工作速度。

(2) 电容越大,对输入信号的耦合也越强,更容易产生寄生震荡和噪声问题,影响PMOS管的稳定性。

(3) 电容越大,对ESD(静电放电)的抗干扰能力越差,更容易被ESD击穿,影响PMOS管的可靠性。

(4) 电容越大,面积也越大,不利于高密度集成,影响芯片的集成度。

综上,并联电容的大小需要综合考虑PMOS管的开关特性、工作速度、稳定性、可靠性和集成度等因素进行折中。一般来说,并联电容稍大有利于开关特性,但过大会影响其他特性,需要权衡取舍。在CMOS工艺提高的今天,并联电容的大小在变小的 trend。

所以,并联电容的作用是改善PMOS管的开关性能,但其大小对PMOS管的许多特性有影响,需要综合权衡考虑。越来越小的并联电容已成为CMOS工艺发展的趋势。