芯样破坏形式怎么描述

芯片的破坏形式可以从以下几个维度来描述:

1. 物理破坏:指对芯片造成物理性破坏,如折断、刮伤、碾压、撕扯芯片等,造成芯片本体结构性损坏。这类破坏是最严重和最直接的,往往导致芯片完全损毁和失去功能。

2. 高低温破坏:将芯片提高至高温或降低至低温,超出其正常工作温度范围,从而导致芯片功能发生故障或阳性参数产生不可逆变化,出现参数漂移或失效。

3. 电源过压过流破坏:将输入芯片的电源电压提高至过高电压、或电流提高至过大电流,超过芯片的额定工作电压和最大输入电流,烧毁芯片内部电路和器件,造成永久性损坏。

4. 反向电压破坏:将某些芯片针脚的输入电压极性错误,如将正向极性输入端接地,而将负向极性输入端接高电压,造成芯片器件内部损毁。 

5. 静电破坏:静电放电可以瞬间产生高能电子,这些高能电子可以穿透芯片表面,破坏芯片内部的晶体管等关键器件结构,造成静电损伤,引起参数漂移或损坏。

6. 电磁辐射破坏:强烈的电磁辐射可以通过电磁感应的方式,在芯片内部产生较大的电流,这些过大电流可以烧毁芯片,破坏内部电路,引起功能失效。

所以,可以看出,破坏芯片的形式主要集中在对其产生物理损伤、温度冲击、电压过载、静电和电磁干扰等方面,从而达到损毁和破坏芯片的目的。