问：
tsmc180nm工艺衬底为200um,长宽取多少
答：
Okay,对于tsmc180nm工艺来说:
1. 180nm代表该工艺的最小特征尺寸为180纳米,这是该工艺的制程节点,代表该工艺的精度和难度。越小的制程节点,代表工艺越先进和精密。
2. 工艺衬底通常选择硅衬底,对于180nm工艺来说,衬底厚度选择200um比较典型。衬底越薄,代表工艺的难度越大,成本也越高。200um的硅衬底厚度对于180nm工艺来说粗糙但成本较低,适合初级与中级芯片。
3. 长宽的选择通常与stitch尺寸关联。stitch尺寸代表在制造过程中拼接单片硅晶时的误差控制能力,tsmc 180nm工艺的典型stitch尺寸在10um以内,所以长宽的取值范围建议在20mm以上,通常可以取50-200mm,确保在wafer拼接过程中尽量减少由于长宽尺寸导致的贴合误差。
4. 另外,长宽也与后续的划片工艺相关。如果长宽过大,在后续的划片和集成电路封装过程中,由于硅片本身的脆弱性可能更易出现破损现象。所以长宽的选择需要在stitch要求和后续工艺的兼容性之间权衡。
所以,总之,对于tsmc 180nm工艺来说,如果选择typical的200um硅衬底,长宽在50-200mm之间选择一个标准规格值,如125mmx 125mm是一个比较常用和相对较为均衡的选项,这可以兼顾stitch精度要求以及硅片本身的工艺兼容性考量。
希望这个详细解释可以帮助你理解tsmc 180nm工艺在衬底和长宽选择上的考量因素。请告知如果需要任何补充说明。